차세대 반도체 선점을 위한 반도체 각사의 경쟁이 치열하다.
 
일본의 엘피다 메모리와 샤프는 신형 반도체 메모리를 공동개발한다고 니혼게이자이신문이 13일 보도했다. 이번에 새로 개발할  메모리는 기존 휴대용단말에 쓰는 nand형 플래쉬 메모리를 휴대정보처리속도나 저전력소비면에서 앞설 예정으로, 2013년에 실용화를 목표로 하고 있다.
 
실용화되면 단말기 성능을 큰 폭으로 향상시킨다는 목표하에 샤프가 가진 재료기술 및 제조방법과 엘피다의 미세가공기술을 결합시킨다는 전략이다. 이번 개발에는 독립행정법인인 산업기술총연구소, 도쿄대, 반도체 제조장치업체도 참여한다.

현재, 휴대정보단말에서 고화질의 동영상 등 대용량 데이터를 사용하는 소비자가 증가하면서 메모리가 읽고 쓰기 속도의 향상이나 저전력소비를 요구받고 있다. 기존의 nand형 플래쉬 메모리의 성능을 올리기 위해서 회로선폭의 미세화가 필요하나, 2010년대 중반 시점에 가면 이 미세화가 한계에 이를 것으로 보인다.
 

▲　샤프가 au를 통해 내놓은 스마트폰       ©jpnews/이승열

닛케이는 이처럼 차세대 메모리 개발경쟁의 행방이 반도체 업계 세력도를 크게 바꿀 가능성이 있다고 진단했다.

엘피다와 샤프가 개발하는 것은 저저항 변화식 메모리(reram). 이론상으로는 nand형 플래쉬의 1만배의 스피드로 정보를 읽고 쓸 수 있으며, 읽고 쓸때의 소비전력도 줄인다.

개발은 산업총연구소가 위치한 쓰쿠바 센터에서 하며, 회로선폭이 현재 주요 메모리에 필적하는 30 나노미터대의 미세화 기술을 사용한다. 빠르면 11년중에  재료나 주요한 제조기술이 정리되며 13년에는 샘플상품을 출하해서 양산을 시작할 계획이다. 아울러 제조 비용도 큰폭으로 줄일 예정이다. 
 
실용화가 되면 엘피다의 생산거점에서 양산에 들어갈 예정으로 샤프의 휴대전화나 다기능 휴대단말에 탑재를 목표로 한다. 이외 다른 전자업체에도 판매할 생각. 신형 메모리를 쓰는 가전업체는 전력소비가 적으면서 데이타를 고속으로 처리할 수 있는 휴대정보단말 개발이 가능해진다. 통신상황에 따라 풀 하이비젼 영화를 몇초만에 다운로드하거나 대기중에는 사용전력이 거의 제로를 하는 등의 효과가 기대된다.
 
그러나, 차세대 메모리는 엘피다 외에 도시바나 삼성전자 등에서도 개발을 하고 있다. 
 
도시바는 입체구조의 신형 플래쉬 개발을 서두르고 있고, 삼성은 사업규모가 큰 이점을 살려 reram 이외에 읽고 쓰기 속도가 빠른 pram, 고쳐쓰기 횟수의 제한이 없는 mram 등 폭넓게 개발하고 있다. 닛케이는 반도체업계 내에서 개발경쟁에 우위를 점하기 위해 합종연횡도 진행될 것이라고 내다봤다.

 

▲샤프폰  ©jpnews/이승열